随着国内智能电视普及，国网供电公司工程智能投影、投屏等大屏设备的兴起，智能盒子市场的需求持续低迷。

例如，武汉过量的空位可能成为载流子复合的中心，并抑制光催化。年完图8|在金属相2DTMD和光收集半导体之间形成的电子桥。

CVD生长（图5d）是在衬底（例如，电网传统的SiO2/Si）上进行2DTMD的晶圆规模合成的经典自下而上策略。国网供电公司工程评价光催化性能的参数指标。有趣的是，武汉当MoS2的厚度降低到单层时，它从间接带隙半导体变为直接带隙半导体，同时发光特性发生了戏剧性的跳跃（图3b）。

年完使用难去除表面活性剂（长链油胺和油酸）。电网因为过度修改可能会导致相反的结果。

较大的离子，国网供电公司工程如四烷基铵阳离子（R4N+），国网供电公司工程可以避免这种相变，但增大的尺寸不可避免地导致插层势垒的增加，从而降低块状TMDs晶体的插层速率，从而降低剥离速率和单层的产率。

这是因为它们具有相同或熟悉的非金属元素（例如MoS2和CdS中的S元素），武汉这使得它们很容易通过外延生长构建具有良好界面的异质结构。由此，年完1D的ZEO-2前驱体拓扑转化为3D纯硅分子筛ZEO-3，针状形貌得到保持，而tCyMP煅烧残留的磷可以通过高温水洗或H2还原而除去。

ZEO-2的高分辨29Si固体核磁谱揭示了四种Q3和七种Q4的Si位点（图2D），电网这与其晶体结构数据一致。为了获得更准确的晶胞和原子位置（包括ZEO-2中无序的tCyMP），国网供电公司工程研究人员对ZEO-2和ZEO-3开展了同步辐射粉末X-射线衍射的结构精修。

武汉图3.ZEO-3的结构：（A）D4R单元。ZEO-3超大的孔径允许大分子的扩散和吸附，年完可用于挥发性有机物（VOCs）的处理。